真空等離子體拋光技能是最早將等離子體技能使用到外表拋光的加工辦法，它使用CF4、SF6等氣體，在真空和高頻電場(chǎng)下發(fā)生等離子體，等離子體中的活性粒子與被加工工件外表分子或原子發(fā)生化學(xué)反響，生成揮發(fā)性的氣體，從而去除外表資料，到達(dá)拋光效果。因?yàn)樵撧k法加工功率低，加工的方向性和選擇性差，研討人員又提出了一種源自于刻蝕技能的低壓低溫等離子體輔佐拋光技能（PACE，Plasma Assisted Chemical Etching），它選用低氣壓電容耦合放電的辦法，等離子體中的活性自由基與被加工資料外表原子反響生成強(qiáng)揮發(fā)性物質(zhì)，同時(shí)不會(huì)引進(jìn)新的外表污染，拋光功率相對(duì)較高，通過(guò)控制氣壓、功率以及氣體流速等因素能夠控制資料的去除速度。美國(guó)的Perkin-Elmer公司使用該技能可加工出直徑為1m、外表粗糙度值Ra<0.5nm的非球面。

跟著等離子體技能的發(fā)展，常壓等離子體拋光技能以其工作條件為常溫常壓，不需要真空設(shè)備，加工成本低，活性粒子品種多，數(shù)量大，化學(xué)反響速度快等優(yōu)勢(shì)，越來(lái)越遭到人們的關(guān)注。常壓等離子體拋光技能在美國(guó)和日本的發(fā)展最為迅速。美國(guó)的Lawrence Livermore實(shí)驗(yàn)室在2002年開(kāi)始反響粒子等離子體技能（PART，Reactive Atom Plasma Technology）的研討，并取得了必定的效果，能夠到達(dá)1μm/h的去除量，但是因?yàn)榘l(fā)生放電的石英管容易遭到氟化物的腐蝕效果而老化，導(dǎo)致該技能體系的維護(hù)性較差[79]。日本大阪大學(xué)提出了等離子體化學(xué)氣相加工辦法 (PCVM，Plasma Chemical Vaporization Machining)，如圖所示。該辦法選用旋轉(zhuǎn)電極來(lái)發(fā)生等離子體，管電極處于分離狀況，等離子體加工發(fā)生的反響產(chǎn)物由管電極中心內(nèi)部管路及時(shí)排出。日本名古屋大學(xué)對(duì)二氧化硅的常壓等離子體拋光進(jìn)行了研討，拋光去除速度能夠到達(dá)14μm/min，同時(shí)具有很好的外表質(zhì)量。K.Yamamura提出了一種使用氦和水蒸氣混合發(fā)生的等離子體輔佐機(jī)械拋光的加工辦法，其加工辦法與化學(xué)機(jī)械拋光類似，只是用等離子體化學(xué)反響替代了化學(xué)機(jī)械拋光中的化學(xué)腐蝕。選用這種拋光辦法能夠取得外表粗糙度值Ra=0.1nm的原子級(jí)SiC外表[81]。在國(guó)內(nèi)，哈爾濱工業(yè)大學(xué)最早對(duì)常壓等離子體拋光技能進(jìn)行了研討，選用了電容耦合等離子體射流作為加工工具，對(duì)單晶硅的拋光取得了必定的效果，并以SF6作為主反響氣體，參加少數(shù)氧氣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SiO2的拋光。

無(wú)論是前期的真空等離子體拋光技能，還是近期研討較多的PLNP等離子拋光技能，大多都是使用等離子體內(nèi)部的活性粒子與加工外表的粒子生成揮發(fā)性或者易于被機(jī)械拋光去除并能取得優(yōu)質(zhì)外表的物質(zhì)以到達(dá)拋光的意圖，其拋光的實(shí)現(xiàn)很大程度上取決于等離子體化學(xué)反響物的狀況，而其加工的對(duì)象絕大多數(shù)是半導(dǎo)體資料，主要使用于光學(xué)元件、大規(guī)模集成電路基板、光盤(pán)存儲(chǔ)器的加工。因?yàn)榈入x子體中許多粒子都處于激起狀況（包含分子、原子、分子碎片、離子、基團(tuán)、準(zhǔn)分子等），這些粒子之間的反響往往非常復(fù)雜，而且反響的過(guò)程難以控制。受制于等離子體化學(xué)基礎(chǔ)理論研討進(jìn)展緩慢，能夠使用于等離子體拋光技能的化學(xué)反響很少，相應(yīng)地能夠拋光的資料也主要集中在半導(dǎo)體資料，日常生活和工業(yè)加工中廣泛使用的不銹鋼、低碳鋼、鋁合金、銅合金簡(jiǎn)直都不能用前面提到過(guò)的等離子體拋光辦法進(jìn)行加工。然而等離子體拋光成本低、無(wú)污染、高功率、高質(zhì)量的長(zhǎng)處在很大程度上代表了未來(lái)拋光技能的發(fā)展方向，找出一種使用規(guī)模更廣兼具原有等離子體拋光長(zhǎng)處的新型拋光技能成為我國(guó)拋光技能領(lǐng)域研討的一個(gè)重要課題。